特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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英特尔发布至强6能效核处理器，加速数据中心能效升级

北京讯 - 2024年6月6日，英特尔正式发布了全新至强6能效核处理器（代号Sierra Forest），基于Intel 3制程工艺打造，旨在为数据中心提供更高性能、更高能效和更优成本表现。

至强6能效核处理器采用全新的Golden Cove P核和Gracemont E核混合架构，P核性能提升至多28%，E核性能提升至多50%。同时，得益于Intel 3制程工艺的引入，整款处理器的功耗降低了21%，能效提升至多2.6倍。

在实际应用场景中，至强6能效核处理器可显著提升媒体转码、Web服务、高性能计算等关键工作负载的性能表现。例如，在媒体转码工作负载上，与第二代英特尔至强处理器相比，至强6能效核处理器可为客户提供高达4.2倍的机架性能提升和高达2.6倍的每瓦性能提升。

此外，至强6能效核处理器还支持一系列最新技术，包括DDR5内存、PCIe 5.0和CXL互连，可进一步增强系统的可扩展性和扩展能力。

"随着数据中心规模的不断扩大，对计算性能和能效的需求也越来越高，"英特尔中国区总裁钱肇雄表示。"至强6能效核处理器的发布，将助力客户以更低的成本实现更高的性能和能效，推动数据中心的可持续发展。"

以下是至强6能效核处理器的主要特性：

• 基于Intel 3制程工艺
• 全新Golden Cove P核和Gracemont E核混合架构
• P核性能提升至多28%，E核性能提升至多50%
• 功耗降低21%，能效提升至多2.6倍
• 支持DDR5内存、PCIe 5.0和CXL互连

至强6能效核处理器已于今日上市，面向云服务提供商、通信服务提供商和企业级客户。

### 新闻分析

至强6能效核处理器的发布，是英特尔在数据中心领域的重要布局。随着云计算、大数据、人工智能等应用的快速发展，数据中心对计算性能和能效的需求日益迫切。至强6能效核处理器以其强大的性能、出色的能效和丰富的功能，能够有效满足数据中心的各种需求，助力客户降低运营成本，实现可持续发展。

此外，至强6能效核处理器的发布，也标志着英特尔在制程工艺方面取得了新的突破。Intel 3制程工艺的引入，使至强6能效核处理器在性能和能效方面都得到了显著提升，为未来数据中心的发展奠定了坚实的基础。